VASP主要计算流程:结构优化、静态自洽、非自洽计算

参考

VASP 结构优化、静态自洽、非自洽计算
 【整理自好友lpf文章】用VASP计算能量态密度（DOS）和能带
 Learn VASP The Hard Way （Ex39）：DOS计算（三）

非自恰

非自洽就是计算过程电荷密度保持不变(?)

说明

非自洽计算是在自洽基础上改变k点（重新生成k点）等参数，根据不同需要选取能量或势函数或电子密度作为初始值，进行非自洽迭代计算，可用于求解DOS，能带（电子结构分析）或者光学等其他性质。

参数：

通用参数

SYSTEM=注释
ISATART=1(1从WAVECAR读入波函数)
ICHARGE=11(1从CHGCAR读入电荷密度+10电荷密度计算过程保持不变)
ISMEAR SIGMA(与结构，K点有关)
DOS计算ISMEAR=-5精度高(K点小于4个不适用)
计算能带：金属用ISMEAR=1；半导体或绝缘体，用ISMEAR=0
ISPIN(与体系有关) MAGMOM(可选)
ENCUT 多个结构进行对比时,需要统一ENCUT
PREC 精度等

DOS参数

ISMEAR=-5,K点越密精度越高,DOS曲线越平滑
bbs.LORBIT = 10 把态密度分解到每个原子以及原子的spd轨道上面，称为为局域态密度，Local DOS (LDOS)
LORBIT =11 在10的基础上，还进一步分解到px，py，pz等轨道上，称为投影态密度（Projected DOS）或者分波态密度(Partial DOS)，即PDOS。
LORBIT = 11可以提供我们更多的信息
bbs.DOS计算可以直接用高密度的K点自恰一步计算(使用于机器性能好),因计算量大才先自恰，再用高密度点非自恰
但是对于能带计算，则必须先自恰计算再非自恰计算能带

bbs.K点少不能使用ISMEAR=-5时

增加K点(简单推荐)使用
半导体绝缘体使用ISMEAR= 0(GS方法)(半导体绝缘体绝对不能大于0)
金属,可以使用GS方法 ISMEAR = 0,也可以使用MP方法ISMEAR = 1, 2….N,一般来说,ISMEAR =0和 1 基本就可以了。(金属可以等于0,也可大于0)

计算能带参数

bbs.所有的体系ISMEAR=-5不适合计算能带
非自洽计算能带：金属用ISMEAR=1；半导体或绝缘体，用ISMEAR=0
NBANDS（默认值为NELECT/2+NIONS/2，NELECT和NIONS分别为电子数和离子数，可以上一步自洽计算产生的OUTCAR文件中找到这两个参数

grep "NIONS" OUTCAR
grep "NELECT" OUTCAR

KPOINTS

使用Line-mode
选择布里渊区高对称点,高对称点坐标可以参考
High-throughput electronic band structure calculations: challenges and tools
小木虫-【原创】k点设置的学习心得
如六角晶格的高对称点
对应的KPOINTS文件 Line-mode #注释 10 #每两个高对称点间产生的K点数 L #使用Line-mode Rec #使用倒格点坐标 0 0 0 #G点/Γ点 -1/3 2/3 0 #M点 -1/3 2/3 0 #M点 1/2 0 0 #K点 1/2 0 0 #K点 0 0 0 #G点/Γ点LH师兄.自己的结构可能因为角度等不同和参考文献中的K点有些不同，可以使用POSCAR->VESTA->cif后导入MS，使用MS的Tools/Brillouin Zone Path功能识别高对称K点，然后对比上面参考文献中的方法，手动添加K点坐标看是否符合自己的结构，如图CoCl2识别的加上我添加的K(0.333 0.333 0)

可视化,使用小木虫-Python版处理EIGENVAL以得到能带结构的程序
他的源程序在这splitbands.py
~~使用方法:~~

该程序在处理不同自旋的电子时有问题，等我学完python回来修改
grep E-fermi OUTCAR确定系统的费米能级
运行splitbands.py，输入费米能级后，就会处理EIGENVAL
输出KPATH(计算的K点坐标)
BNDSTR(用于画图)
第一列为横坐标,之后列为一条条能带,已减去费米能级

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vasp计算流程-非自洽计算

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非自恰

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参数：

通用参数

DOS参数

计算能带参数

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